第三類半導體 美中科技競逐核心

　全球第三類半導體產業正陷入史上最嚴重動盪期，美、中、台三地競逐態勢出現明顯變化。全球碳化矽（SiC）龍頭的美國Wolfspeed傳出即將聲請破產重整之際，台灣台積電亦傳出將解散氮化鎵（GaN）研發團隊。台積電此舉主因與大陸近年大舉投入第三類半導體領域，導致市場競爭劇烈有關。

　必須注意的是，儘管第三類半導體快速崛起，但並非將完全取代傳統第一類與第二類半導體材料，而是三者在未來市場各自發揮所長，形成共存且分工明確局面。第一類半導體，如矽與鍺，用途廣泛但主要應用在邏輯晶片領域；第二類半導體，如砷化鎵、磷化銦，擅長處理高頻訊號，廣泛用於手機功率放大器與光纖通訊；而第三類半導體，如碳化矽與氮化鎵，則因承受高電壓、高頻通訊、高溫運作能力優異，廣泛應用於電動車、5G基地台、衛星通訊與風力發電等高端領域，市場潛力巨大。

　Wolfspeed破產重整事件引發全球關注。導致Wolfspeed重整原因，除了電動車市場需求放緩外，原本期待美國政府的《晶片法案》高額補助款，卻因未能達成條件延後，財務狀況因而惡化，此外，大陸廠商如天科合達等快速崛起，市場競爭激烈，SiC價格下滑，加劇其營運壓力。然而Wolfspeed此舉卻令全球SiC供應鏈產生劇烈震盪，主要合作夥伴如日本瑞薩電子將面臨約新台幣509億元巨額損失。

　另一方面，大陸的氮化鎵龍頭英諾賽科正以驚人的成本競爭力，改變全球市場遊戲規則。透過多年來自建8吋矽基氮化鎵平台與垂直整合模式，大幅降低生產成本，迫使包括台積電、英飛凌等國際大廠紛紛重新審視自身策略。此一低價攻勢不僅使大陸GaN產品進入全球電動車、消費性電子甚至國防工業，更可能與歐洲、東南亞業者合作，擴大國際市場影響力，改變全球氮化鎵市場版圖。

　此外，氮化鎵的技術價值早已超越商業範疇，成為美中科技戰的關鍵材料。相比傳統砷化鎵，氮化鎵具備更高功率、更高頻率與耐高溫等特性，廣泛應用於軍用雷達、衛星通訊與6G技術。大陸早已將氮化鎵戰略性部署於衛星、無人機等軍用領域，透過嚴格出口管制與技術控制，形成完整軍民兩用產業鏈，甚至採取不惜成本策略推動技術突破。美國若無法在材料、製程與供應鏈整合上重建領先優勢，未來可能在通訊科技與軍事應用中逐漸失去主導權。

　綜上所述，第三類半導體不僅是商業與技術競爭，更是美中科技戰略競逐核心。誰能掌握材料、製程、成本控制與市場，就能決定未來半導體產業的領導地位與全球科技戰略走向。（作者為中華經濟研究院輔佐研究員）